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聚四氟乙烯介電常數(shù)測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述:聚四氟乙烯介電常數(shù)測(cè)試儀變壓器用絕緣材料必須在絕緣電阻、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗及擊穿強(qiáng)度等方面滿足一定的特性,即有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗隨著溫度的變化較為穩(wěn)定。本文就介電常數(shù)、介質(zhì)損耗因數(shù)和工頻擊穿強(qiáng)度研究聚合物材料的性能。實(shí)驗(yàn)材料為直徑15mm,厚度0.5mm的聚酯薄膜、聚碳酸酯和聚四氟乙烯圓形薄片。
更新時(shí)間:2024-07-17
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:516
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣 |
聚四氟乙烯介電常數(shù)測(cè)試儀在常溫下,聚四氟乙烯、聚酯薄膜和聚碳酸酯的基本電氣參數(shù)都比絕緣紙好,聚酯薄膜在90°左右介電常數(shù)和介質(zhì)損耗明顯增大,聚四氟乙烯和聚碳酸酯的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗基本不受溫度影響。聚四氟乙烯介電常數(shù)測(cè)試儀研究發(fā)現(xiàn),在變壓器油中熱老化后,聚四氟乙烯的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大;聚酯薄膜和聚碳酸酯的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均減小。聚四氟乙烯、聚酯薄膜、的擊穿強(qiáng)度均降低;聚碳酸酯的擊穿強(qiáng)度提高。
儀器主要具有如下特點(diǎn):
l 超大液晶中文顯示
操作簡(jiǎn)單,儀器配備了的全觸摸液晶顯示屏,超大全觸摸操作界面,每過(guò)程都非常清晰明了,操作人員不需要額外的專業(yè)培訓(xùn)就能使用。輕輕點(diǎn)擊一下就能完成整個(gè)過(guò)程的測(cè)量,是目前非常理想的智能型介損測(cè)量設(shè)備。
l 海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器,保存數(shù)據(jù)200組,能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出。
l 科學(xué)*數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過(guò)U盤導(dǎo)出,可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過(guò)我公司專用軟件,查看和管理數(shù)據(jù)。
l 多種測(cè)試模式
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測(cè)試;在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓(大于10kV)介質(zhì)損耗。
l CVT測(cè)試一步到位
該儀器還可以測(cè)試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量,實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測(cè)試。該儀器還可以測(cè)試CVT變比和電壓角差。
l 不拆高壓引線測(cè)量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測(cè)量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
l CVT反接屏蔽法測(cè)量C0
儀器可采用反接屏蔽法測(cè)量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
l 高速采樣信號(hào)
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
l 多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動(dòng)、高壓電流、輸出短路、電源故障、過(guò)壓、過(guò)流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設(shè)置接地檢測(cè)功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
工作頻率范圍 | 50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器 | 1kHz~70M Hz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm | 50kHz~160MHz 四位數(shù)顯,數(shù)字合成 精度:±50ppm |
Q值測(cè)量范圍 | 1~1000 指針,±1Q分辨率 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 | 1~1000 四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率 |
可調(diào)電容范圍 | 40~500 pF ΔC±3pF | 40~500 pF ΔC±3pF | 13~230 pF |
電容測(cè)量誤差 | ±1%±1pF | ±1%±1pF | ±1%±0.5pF |
Q表殘余電感值 | 約20nH | 約20nH | 約8nH |
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