介電常數(shù)電橋電容率測(cè)試儀應(yīng)用

無(wú)源元件:

電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析

半導(dǎo)體元件:

LED驅(qū)動(dòng)集成電路寄生參數(shù)測(cè)試分析；變?nèi)荻O管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

其它元件:

印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估

介質(zhì)材料:

塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估

磁性材料:

鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估

半導(dǎo)體材料:

半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)

技術(shù)指標(biāo)

1測(cè)量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時(shí)

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時(shí)

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2電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)

確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

    在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

     ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)

式中: U 為測(cè)量電壓                              伏特  (V)

      ω為角頻率2πf=314(50Hz)                               

     Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                          法拉(F) 

     Ig通用指零儀的電流5×10-10                  安培(A)  

     Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500                    歐姆(Ω)

     R4橋臂R4阻值3183                         歐姆(Ω)

     Cx被測(cè)試品電容值                           法拉(pF)

電橋簡(jiǎn)介:

     BQS-37a型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測(cè)量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-5000的數(shù)顯高壓電源及100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

電極設(shè)計(jì)為平板型帶保護(hù)電極的三端式電容器，絕緣材料的介質(zhì)損耗角δ是由該絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與流過(guò)該電容器的電流之間的相位差的余角。絕緣材料的介質(zhì)損耗因數(shù)是介質(zhì)損耗角δ的正切值tgδ當(dāng)絕緣材料制成片狀試樣置于電極中間施加一定的壓力后，可視作由該絕緣材料作為介質(zhì)的電容器，電容量和介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量可在高壓電容電橋上進(jìn)行。絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)εr是電極間及其周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí)，電容器Cx與同樣構(gòu)型的真空電容器Co之比:εr=Cx/Co

介電常數(shù)電橋電容率測(cè)試儀鍵盤鎖定功能，掉電數(shù)據(jù)保護(hù)功能,圖形掃描功能，列表掃描功能、開路、短路、負(fù)載校正功能簡(jiǎn)體中文、英文操作語(yǔ)言,進(jìn)行測(cè)試數(shù)據(jù)、測(cè)試條件保存.

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