—— PROUCTS LIST
—— NEWS
漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述:漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀符合標(biāo)準(zhǔn):ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率(介電常數(shù))的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法;GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法;GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值
更新時(shí)間:2024-07-14
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:966
品牌 | 北廣精儀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)AST# D150以及IEC60250規(guī)范要求。
頻率范圍 10kHz~10MHz 100kHz~10MHz
固有誤差 ≤5%±滿度值的2% ≤5%±滿度值的2%
工作誤差 ≤7%±滿度值的2% ≤7%±滿度值的2%
頻率范圍 10MHz~70MHz 10MHz~160MHz
固有誤差 ≤6%±滿度值的2% ≤6%±滿度值的2%
工作誤差 ≤8%±滿度值的2% ≤8%±滿度值的2%
Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場(chǎng)作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角Φ)的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好
概念:
電介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下,其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象,這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉,電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下,在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率,或簡(jiǎn)稱介質(zhì)損耗(diclectric loss)。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場(chǎng)中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能,而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大,甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過熱而絕緣破壞,所以從這種意義上講,介質(zhì)損耗越小越好。
漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。
1頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的 。r和 tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的.
2溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。
3濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是的.
注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)
4電場(chǎng)強(qiáng)度
存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān)
測(cè)量方法的選擇:
高頻/音頻介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT-A測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。
1 零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過50 MHz時(shí)的測(cè)量。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下,調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通常回路采用西林電橋、變壓器電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián) T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加附件或過多操作,就可采用保護(hù)電極;它沒有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)。
2 諧振法適用于10 kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測(cè)量。該方法為替代法測(cè)量,常用的是變電抗法。但該方法不適合采用保護(hù)電極。
注:典型的電橋和電路示例見附錄。附錄中所舉的例子自然是不全面的,敘述電橋和側(cè)量方法報(bào)導(dǎo)見有關(guān)文獻(xiàn)和該種儀器的原理說明書。
工作原理
1.“Q”的定義
Q表是根據(jù)串聯(lián)諧振原理設(shè)計(jì),以諧振電壓的比值來定位Q值。
“Q”表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)”,其物理含義是在一個(gè)振蕩周期內(nèi)貯存的能量與損耗的能量之比。對(duì)于電抗元件(電感或電容)來說,即在測(cè)試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。
或 (1)
圖 一
在圖(一)所示的串聯(lián)諧振電路中,所加的信號(hào)電壓為Ui,頻率為f,在發(fā)生諧振時(shí)
或 (2)
回路中電流 (3)
故電容兩端的電壓
如果你對(duì)GDAT-A漆膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀感興趣,想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息,填寫下表直接與廠家聯(lián)系: |